光偵測(cè)器以多晶或非晶的光吸收層形成在介電層上以使其接觸光波導(dǎo)的單晶半導(dǎo)體核心。該光吸收層接著以一或多個(gè)應(yīng)變緩解層密封且進(jìn)行快速熔化生長(zhǎng)(RMG)工序以結(jié)晶化該光吸收層。該(多個(gè))應(yīng)變緩解層是為了控制應(yīng)變緩解而調(diào)變，以致在該RMG工序期間，該光吸收層保持免于破裂。接著移除該(多個(gè))應(yīng)變緩解層且在該光吸收層之上形成密封層(例如，填充該RMG工序期間發(fā)展的表面凹陷)。隨后，通過(guò)該密封層植入摻質(zhì)以形成用于(多個(gè))PIN二極管的擴(kuò)散區(qū)域。由于該密封層相對(duì)薄，可在該擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)達(dá)到想要的摻質(zhì)輪廓。
 

　　光偵測(cè)器適用于高濃度(%v/v)二元?dú)怏w混合物的測(cè)量。主要用于探測(cè)導(dǎo)熱性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)空氣的氣體，如甲烷和氫氣。而導(dǎo)熱性接近于空氣的氣體則不能探測(cè)到，如氨氣和一氧化碳。導(dǎo)熱性小于空氣的氣體就更難以探測(cè)了，因?yàn)樗魵鈺?huì)產(chǎn)生干擾，如二氧化碳和丁烷。這種技術(shù)還可以測(cè)量?jī)煞N氣體的混合物(在隔絕空氣情況下)。將經(jīng)加熱的傳感元件暴露于樣品中，而參考元素則被包圍在一個(gè)密封的小隔間內(nèi)。若樣品氣體的導(dǎo)熱性大于參考元素的導(dǎo)熱性，那么，傳感元件的溫度就會(huì)下降；若樣品氣體的導(dǎo)熱性小于參考元素的導(dǎo)熱性，那么，樣品元素的溫度就會(huì)升高。
 

　　這些溫度變化是與樣品元素處存在的氣體的濃度成比例的。紅外氣體探測(cè)器很多可燃?xì)怏w在光的電磁波譜的紅外區(qū)都具有吸收帶，而很多年以來(lái)，紅外吸收的原理就已經(jīng)是一種實(shí)驗(yàn)室分析工具了。然而，自20世紀(jì)80年代以來(lái)，電子學(xué)和光學(xué)的發(fā)展使得設(shè)計(jì)一種電源足夠低、體積較小的設(shè)備變?yōu)榭赡?，從而使得可以將該技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)氣體探測(cè)產(chǎn)品。這些傳感器較之于燃燒式傳感器，具有一些重要的優(yōu)勢(shì)。其響應(yīng)速度非?？?一般少于10秒)，維護(hù)價(jià)格低，核對(duì)簡(jiǎn)單，使用了現(xiàn)代微處理器控制設(shè)備的自檢設(shè)備。